特許

J-GLOBAL ID：200903002427910316

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮野 清孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-175782
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026395
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】酸化されやすい金属を用いた配線における電界集中を緩和する。【解決手段】半導体基板10上のゲート酸化膜14上にWOx 膜15,WSixNy 膜16及びW膜17を順次積層し、パターニングすることによって配線を形成する(図3(h))。次いで、800°Cの還元性雰囲気に30分程度さらす(図3(i))。すると、WOx 膜15の側面部は、還元され体積が縮小し、W膜20となる。また、W膜17は、下層に接するWOx 膜15からの酸素による酸化と、還元性ガスによる還元との競合反応が起こる。そして、酸化による体積膨張と還元による体積縮小とが同時進行することにより、W膜17の底部端部が丸い形状となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属酸化膜と、この金属酸化膜の少なくとも側部に形成され、該金属酸化膜の還元物からなる第1の金属膜と、前記金属酸化膜及び第1の金属膜上に形成された第2の金属膜とからなる配線を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/203 S ,  H01L 29/78 301 G