特許

J-GLOBAL ID：200903002442970910

半導体装置の製造方法

発明者： 渡邊 大祐
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265815
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109679
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【構成】半導体ウエハの表面上にフォトレジストを塗布しその上に裏面研削保護用フィルムシートを形成して、この半導体ウエハの裏面を研削する。【効果】裏面研削工程で、半導体ウエハの表面の凹凸が裏面に転写されることが無くなるので研削後の半導体ウエハの裏面が平坦となる。

請求項（抜粋）：

所定の素子や配線を表面側に形成した半導体ウエハの裏面を研削するに際して、裏面研削後に除去可能な層間膜を前記半導体ウエハの表面に形成することによって該半導体ウエハの表面よりも該層間膜の表面を平坦な面とし、該層間膜表面上に裏面研削保護用フィルムシートを形成し、しかる後に前記半導体ウエハの裏面を研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 331 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-158332
  
• 特開平2-039432
  
• 特開平3-101128