特許
J-GLOBAL ID：200903002443183025
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306790
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089976
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】MOS型LSIのチップ内にプロセスの一部として作り込むことのできるソレノイド構造のインダクタおよび高インダクタンスを示すインダクタを有する半導体装置ならびにインダクタンスの調整が可能な半導体装置の提供。【構成】MOS構造を持つ半導体装置において、半導体装置内にソレノイド構造のインダクタが作り込まれている半導体装置、および好ましくはこのソレノイド構造のインダクタの内部に磁心として高透磁率材料を有し、より好ましくは磁心が閉回路である半導体装置、ならびに閉回路磁心を共有する2つのソレノイド構造の一方に磁束制御部を接続する半導体装置。
請求項（抜粋）：
MOS構造を持つ半導体装置において、半導体装置内にソレノイド構造のインダクタが作り込まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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