特許

J-GLOBAL ID：200903002454653619

多結晶Si薄膜の堆積法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子並びにターゲット

発明者： 石原 俊一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270511
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、大粒径の多結晶シリコン薄膜を提供することである。【解決手段】 多結晶Si薄膜堆積法において、酸化物基板上に多結晶薄膜Siを堆積する方法において、少なくとも?@基板上に結晶質シリコン領域を部分的に形成する工程と?A結晶質シリコンが形成されない領域には非晶質Siが堆積する条件で、結晶質シリコン領域では該シリコンを核として結晶Siを成長させる工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸化物基板上に多結晶薄膜Siを堆積する方法において、少なくとも?@基板上に結晶質シリコン領域を部分的に形成する工程と、?A結晶質シリコン領域以外の領域には非晶質Siが堆積する条件で、結晶質シリコン領域では該結晶質シリコンを核として結晶Siを成長させる工程と、を含むことを特徴とする多結晶Si薄膜堆積法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/14 A ,  C23C 14/34 B ,  H01L 31/04 X

Fターム (23件)：

4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029BA35 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029BB10 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC12 ,  5F051AA03 ,  5F051CB04 ,  5F051CB15 ,  5F051CB29 ,  5F051GA03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD16 ,  5F103HH04 ,  5F103PP15