特許
J-GLOBAL ID：200903002456748293
薄膜トランジスタパネル
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032869
公開番号（公開出願番号）：特開平5-203990
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】ブラックマスクとこのブラックマスクを覆う透明な絶縁膜とを、1回の金属膜の成膜を行なうだけで能率良く形成して、TFTパネルの製造コストを低減する。【構成】基板1上に成膜した金属膜10の画素電極対応部分をその全厚にわたって酸化させるとともに、他の部分を下層に非酸化層を残してその上の部分を酸化させることにより、前記金属膜10の前記非酸化層をブラックマスク10aとし、前記金属膜10の酸化層を前記ブラックマスク10aを覆う透明な絶縁膜10bとした。
請求項（抜粋）：
透明基板の上にブラックマスクを形成し、このブラックマスクを覆う透明な絶縁膜の上に、画素電極とその能動素子である薄膜トランジスタとを形成した薄膜トランジスタパネルにおいて、前記基板上に、前記画素電極に対応する部分をその全厚にわたって酸化させ他の部分は下層に非酸化層を残してその上の部分を酸化させた金属膜を設け、この金属膜の前記非酸化層を前記ブラックマスクとし、前記金属膜の酸化層を前記絶縁膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
