半導体層の溶融再結晶化方法,及び半導体層を溶融再結晶化するための装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214567
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078328
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】従来方法に比して結晶粒界の発生を軽減することができ、結晶粒径(単結晶領域)を拡大化することができる半導体層の溶融再結晶化方法を提供する。【構成】半導体ウエハ1を平板状のカーボンヒータ2の上面に載置し、半導体ウエハ1をその裏面側から加熱して、半導体ウエハ1の全体を半導体層5,及び絶縁膜6が溶融しない温度まで昇温し、この状態で、加熱手段10の先端部(スポット状の発熱領域)10aを半導体ウエハ1の中心部の上方に配置し、半導体ウエハ1と所定間隔を保ちながら、一定の移動速度で当該配置位置から当該配置位置を中心にその回転半径が大きくなるように螺旋状に移動させて、半導体層5の全体を溶融再結晶化する。

請求項（抜粋）：

半導体層に対し相対的に加熱領域を移動させることにより当該半導体層を溶融再結晶化し、当該半導体層に大面積の単結晶領域を生じせしめる半導体層の溶融再結晶化方法において、上記加熱領域はスポット状の加熱領域であり、当該スポット状の加熱領域を螺旋状に移動させて上記半導体層を溶融再結晶化することを特徴とする半導体層の溶融再結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭61-179524
特開昭55-150238
特開昭58-056316

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