特許
J-GLOBAL ID：200903002464690806
配線基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-074438
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281937
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】基板の耐ノイズ性の悪化やパッドを含んだ伝送経路のインピーダンス不整合が生じにくく、金属端子パッドの間隔を縮小した構造の配線基板を提供する。【解決手段】配線基板において、金属端子パッド10,17は、第一主表面CP側からCuメッキ層52、Niメッキ層53,55及びAuメッキ層54,56を積層する。各メッキ層は、BGA側が電解Niメッキ層53及び電解Auメッキ層54、C4側が無電解Niメッキ層55及び無電解Auメッキ層56である。パッド形成面をなす誘電体層6の第一主表面CPには、金属端子パッド10,17に一端が結合される金属配線が配置されないか、又は、配置されていても、該金属配線の他端側が内層導体層7にビア34を介して接続する。ソルダーレジスト層8,18は開口8a,18aの内周縁部にて、金属端子パッド10,17のCuメッキ層52の、面粗化処理を施した主表面外周縁部52pと接する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第一主表面が誘電体層にて形成されるように、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、該配線積層部の前記誘電体層にて形成された第一主表面上に配置される複数の金属端子パッドとを有し、それら金属端子パッドの少なくとも一部のものが、前記配線積層部内に位置する内層導体層にビアを介して導通した構造を有する配線基板であって、
前記配線積層部として、板状コアの第一主表面に形成される第一配線積層部と、同じく第二主表面に形成される第二配線積層部とが設けられ、それぞれ前記金属端子パッドが設けられ、前記第一配線積層部の前記金属端子パッドと、前記第二配線積層部の前記金属端子パッドとが、前記板状コアに設けられたスルーホール導体にて接続されてなり、
前記金属端子パッドは、第一主表面側からCuメッキ層、Niメッキ層及びAuメッキ層がこの順序で積層されてなり、
前記第一配線積層部側の前記Niメッキ層が無電解Niメッキ層であり、前記第二配線積層部側の前記Niメッキ層が電解Niメッキ層とされ、かつ、前記誘電体層の第一主表面には、前記金属端子パッドに一端が結合され、他端が開放したメッキ用金属配線が形成されておらず、さらに、
前記第一配線積層部及び前記第二配線積層部において、前記Niメッキ層が、前記Cuメッキ層の主表面に対し該主表面の外周縁内側に収まるように形成され、該Cuメッキ層の前記Niメッキ層に覆われていない主表面外周縁部に面粗し処理が施され、該第一配線積層部及び第二配線積層部の第一主表面はソルダーレジスト層にて覆われてなり、該ソルダーレジスト層は前記金属端子パッドを個別に露出させるための開口を有するとともに、該開口の内周縁が前記金属端子パッドの主表面外周縁よりも内側に張り出して位置し、当該開口の内周縁部にて、前記Cuメッキ層の前記面粗し処理が施された主表面外周縁部と接してなることを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H05K3/34
, H01L23/12
, H05K3/24
H05K3/34 501F
, H05K3/24 A
, H01L23/12 Q
5E319AA03
, 5E319AC18
, 5E319GG03
, 5E343AA07
, 5E343BB17
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB44
, 5E343DD33
, 5E343DD43
, 5E343GG18
