特許
J-GLOBAL ID：200903002466882206
半導体レーザアレイとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290542
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102616
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 MBE法による一回の連続した結晶成長により製造可能な半導体レーザアレイとその製造方法を提供する。【構成】 複数のメサ形状を有する半導体基板11上に下部クラッド層12、活性層13、上部クラッド層14を順次積層した半導体レーザアレイにおいて、上部クラッド層14または下部クラッド層12は両性不純物がドーピングされた3-5族化合物半導体層からなり、前記ドーピングされたクラッド層の電気抵抗がメサ側面においてメサ上面よりも高くなるようにする。
請求項（抜粋）：
複数のメサ形状を有する半導体基板上に下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を順次積層した半導体レーザアレイにおいて、上部クラッド層または下部クラッド層は両性不純物がドーピングされた3-5族化合物半導体層からなり、前記ドーピングされたクラッド層の電気抵抗がメサ側面においてメサ上面よりも高くなっていることを特徴とする半導体レーザアレイ。
IPC (2件)：
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