特許

J-GLOBAL ID：200903002470396316

半導体レーザ装置

発明者： 西村 哲二 ,  尾松 英文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-296206
公開番号（公開出願番号）：特開2004-130339
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】従来の半導体レーザ加工装置では、被加工物105からの散乱反射光107により集光光学素子102が加熱されて温度上昇し、長時間の加工を行うと光学部品としての使用温度限界に達する、あるいは温度上昇に伴い集光光学素子102の焦点距離が変化する為に加工品質が安定しないという課題を有していた。またこれらを防止する為に冷却用のホルダなどを取付けたりしているが、反射光によって配管部材の継手108やホース109が損傷するという課題もあわせ持っていた。本発明は、光学素子の温度上昇を抑制し、安定した加工品質を保つ半導体レーザ加工装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置の筐体5の内壁に冷却水路10を設け、被加工物6からの散乱放射光9に対して集光光学素子2やそのホルダ3に当たることによる光学素子の温度上昇を防止させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電源部からエネルギーが供給されてレーザ光を出力する半導体レーザ手段と、前記レーザ光を被加工物へ集光する集光手段と、前記半導体レーザ手段と前記集光手段とを内蔵した筐体を有し、前記集光手段は前記筐体の内外壁に突出しない冷却手段を有した半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

B23K26/06 ,  H01S3/00 ,  H01S5/00

FI (3件)：

B23K26/06 A ,  H01S3/00 B ,  H01S5/00

Fターム (14件)：

4E068CB06 ,  4E068CD01 ,  4E068CD15 ,  4E068CH08 ,  5F072AB13 ,  5F072JJ06 ,  5F072KK21 ,  5F072MM09 ,  5F072TT01 ,  5F072TT14 ,  5F072YY06 ,  5F073AB27 ,  5F073BA09 ,  5F073EA29