特許
J-GLOBAL ID:200903002471079918

チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-346736
公開番号(公開出願番号):特開平7-183104
出願日: 1993年12月22日
公開日(公表日): 1995年07月21日
要約:
【要約】【構成】 バリウム化合物とチタン化合物とを含む原料粉末と、Bi、Nb、W、Ta、Sbおよび希土類元素からなる半導体化剤群から少なくとも1種の半導体化剤粉末とを混合した混合物を得た後、上記混合物を酸化雰囲気下にて1150°Cから1240°Cまでの温度範囲内で仮焼成して一次焼成物を得た後、上記一次焼成物を1300°Cから1380°Cまでの温度範囲内で本焼成する。【効果】 室温時の比抵抗値のバラツキを抑制できて、得られたチタン酸バリウム系半導体磁器の歩留りを容易に向上でき、製造における手間を軽減できる。
請求項(抜粋):
バリウムとチタンとを含み、チタンとバリウムとの化学量論比に対してチタン配合量を大きくした原料粉末を調製し、上記原料粉末におけるバリウムを10〜15mol%のストロンチウムと13〜18 mol%のカルシウムにて置換し、さらに、上記原料粉末に対して0.08〜0.15 mol%のマンガンと 1.5〜2.5mol%のケイ素と、Bi、Nb、W、Ta、Sbおよび希土類元素からなる半導体化剤群から少なくとも1種の半導体化剤粉末とを混合した混合物を得た後、上記混合物を酸化雰囲気下、1150°Cから1240°Cまでの温度範囲内にて一次焼成して一次焼成物を得、上記一次焼成物を酸化雰囲気下、1300〜1380°Cにて二次焼成することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法。
IPC (3件):
H01C 7/02 ,  C04B 35/46 ,  H05B 3/14
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭51-129695
  • 特開昭63-312616
  • 特開昭51-129695
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