特許

J-GLOBAL ID：200903002472772218

半導体装置

発明者： 宮田 晴行
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-170058
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029972
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】デジタル回路部領域とアナログ回路部領域との間に形成される分離部が、両回路部領域間で電気的ノイズを遮断する役割のほかに、半導体装置外部から電源端子に入力した静電サージを吸収する役割を果たすようになり、両回路部領域を静電破壊から保護する機能を持つ半導体装置を提供する。【構成】N型の半導体基板10上に形成されたデジタル回路部領域11及びアナログ回路部領域12と、デジタル回路部領域とアナログ回路部領域との間で半導体基板に形成されたP型のウェル領域13と、ウェル領域上に形成されたN型の第1の拡散層14と、第1の拡散層にコンタクトするように形成された第1の電極15と、ウェル領域上に形成されたP型の第2の拡散層16と、第2の拡散層にコンタクトするように形成された第2の電極17とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に形成されたデジタル回路部領域及びアナログ回路部領域と、上記デジタル回路部領域とアナログ回路部領域との間で前記半導体基板に形成された前記第1導電型とは逆の第2導電型のウェル領域と、このウェル領域上に形成された第1導電型の第1の拡散層と、この第1の拡散層にコンタクトするように形成された第1の電極と、前記ウェル領域上に形成された第2導電型の第2の拡散層と、この第2の拡散層にコンタクトするように形成された第2の電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 21/76 S ,  H01L 27/04 U ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/06 311 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-196156
  
• 特開平3-214656