特許

J-GLOBAL ID：200903002476216808

Si微結晶構造の製造方法

発明者： 古屋 一夫 ,  竹口 雅樹 ,  吉原 一紘
出願人/特許権者： 科学技術庁金属材料技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186637
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021773
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 単結晶のSi微結晶の構造を位置およびサイズ制御可能として形成する。【解決手段】 400°C以上の温度において、SiO2 基板に電子線照射により電子線励起分解反応させてSi微結晶を形成する。

請求項（抜粋）：

400°C以上の温度において、SiO2 基板に電子線を照射して電子線励起分解反応により単結晶のSi微結晶をSiO2 基板に形成することを特徴とするSi微結晶構造の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/06

Fターム (6件)：

5F052AA03 ,  5F052DA01 ,  5F052DB10 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052KA03