特許
J-GLOBAL ID：200903002478085557
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236333
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102546
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 I b族とIII a族とVIa族元素からなる化合物半導体薄膜のキャリア濃度を制御し、効率よく光電流が得られるキャリア濃度分布を形成し、太陽電池のエネルギー変換効率の向上を図る。【構成】 アルミナあるいは金属基板6上に Ia族とVIa族元素からなる化合物薄膜10を堆積し、その上に、 Ib族と IIIa族とVIa族元素からなる化合物半導体薄膜9を形成する。前記化合物半導体薄膜を堆積する時の基板温度を500°C以上の高温に保持するか、または前記化合物半導体薄膜を基板温度500°C以下の低温で堆積した後に500°C以上の高温で熱処理することにより前記化合物半導体薄膜中に Ia族元素を拡散させ、前記半導体薄膜中のキャリア濃度を増加させる。前記半導体薄膜は太陽電池の光吸収層に用いるのが有用である。
請求項（抜粋）：
Ib族と IIIa族とVIa族元素からなる化合物半導体薄膜を堆積する際に、 Ia族とVIa族元素からなる化合物を同時に堆積する半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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