特許
J-GLOBAL ID：200903002479632438
半導体ウェーハの研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-340971
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149884
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】研磨後の半導体ウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度を改善する。【解決手段】半導体ウェーハの裏面に、硬質のワックスを塗布してワックス層を形成する。次いで、シリコンウェーハを、枚葉式の接着装置を用いて、ワックス層を介して、算術表面粗さが0.1〜0.3μmのキャリアプレートの表面に1枚ずつ押し付ける。硬質ワックスは、キャリアプレートの凹部に入り込まず、キャリアプレートとワックス層との界面は略フラットである。このシリコンウェーハ表面を鏡面研磨する。研磨面とワックス層とに一定の厚みを保持したまま、シリコンウェーハ表面を研磨できる。これにより、シリコンウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度が改善する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの裏面にワックスを塗布してワックス層を形成し、
表面の算術平均粗さが0.1〜0.3μmのキャリアプレートの表面に上記半導体ウェーハの裏面を押し付け、
所定厚さを保持する上記ワックス層を介して保持した半導体ウェーハ表面を鏡面研磨する半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 622J
, B24B37/04 J
3C058AA07
, 3C058AB04
, 3C058AB09
, 3C058CB01
, 3C058DA17
