特許
J-GLOBAL ID：200903002480085475
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034559
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232680
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 電流狭窄及び単一横モード閉じ込めを実現した半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型SiC(0001)基板1上に、GaInN活性層5とそれはさむp型AlGaNクラッド層7、n型AlGaNクラッド層3とが形成されている。p型クラッド層7は、アンドープAlN層8で埋め込まれている。これにより、電流狭窄が実現してしきい値電流が下がり、横方向の屈折率差が生じるので単一横モード閉じ込めが実現する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板と、前記サファイア基板上に作製された、Nを含有するIII-V族化合物より構成されるダブルヘテロ構造と、前記ダブルヘテロ構造の上に作製された電極と、電極のまわりをエッチングすることによって作製したリッジまたはメサ構造と、前記リッジまたはメサ構造の側面を、前記ダブルヘテロ構造の実効屈折率よりも小さな、Nを含有するIII-V族化合物で積層した埋め込み構造とを有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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