特許

J-GLOBAL ID：200903002480688501

薄膜の形成方法

発明者： 金子 尚史 ,  蓮沼 正彦 ,  豊田 啓 ,  梶田 明広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025622
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226335
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 非晶質SiO2 基板上において、表面の平滑性に優れ且つ結晶性の高い薄膜を形成する方法を提供すること。【構成】 CVD法に従って原料ガスを基板表面に供給し、該基板上に薄膜を形成する方法であって、前記原料ガスを基板に供給する以前に予備加熱し、且つ予備加熱中にPt,Pd,Au、またはこれらの化合物もしくは混合体からなる触媒に接触させることを特徴とする。前にこれらと接触させる。【効果】 低基板温度において、不純物の混入が少なく、平滑性および結晶性に優れた薄膜を形成することが可能である。

請求項（抜粋）：

CVD法に従って原料ガスを基板表面に供給し、該基板上に薄膜を形成する方法であって、前記原料ガスを、基板に供給する以前に予備加熱し、且つ予備加熱中にPt,Pd,Au、またはこれらの化合物もしくは混合体からなる触媒に接触させることを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205