特許
J-GLOBAL ID：200903002485642950

ウェーハレベルスタックパッケージ及びその製造方法

発明者：
金 載 勉

金 載 勉 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について


代理人 (1件)： 瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185762
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035998
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハレベルで2個の半導体チップを積層するウェーハレベルスタックパッケージ及びその製造方法を提供する。【構成】 ボンディングパッドの形成された第1表面が所定距離をおいて対向配置された上部及び下部半導体チップであって、その第1表面に塗布された第1絶縁層と、その上に蒸着され、一端が前記各ボンディングパッドに連結し、他端が各半導体チップの外枠に延長された上部及び下部金属パターンと、各第1絶縁層上に塗布され貼り合わせた第2絶縁層と、上部半導体チップの外枠に沿って形成され前記金属パターンの他端を露出させる貫通孔と、貫通孔の内壁に蒸着され、電気的に連結する媒介パターンと、上部半導体チップの第2表面に付着されて媒介パターンと電気的に連結して、表面にはボールランドを持つパターンフィルムと、前記貫通孔に埋め込んだ封止剤と、パターンフィルムのボールランドにマウントされた半田ボールとを含む。
請求項（抜粋）：
ボンディングパッドの形成された第1表面が所定距離をおいて対向配置された上部及び下部半導体チップ;前記上部及び下部半導体チップの第1表面に、前記ボンディングパッドが露出するように塗布された第1絶縁層;前記第1絶縁層上に蒸着され、一端が前記各ボンディングパッドに連結し、他端が前記各半導体チップの外枠に延長された上部及び下部金属パターン;前記各第1絶縁層上に塗布され、貼り合わせた第2絶縁層;前記上部半導体チップの外枠に沿って形成され、前記上部及び下部金属パターンの他端を露出させる貫通孔;前記貫通孔の内壁に蒸着され、前記上部及び下部金属パターンの他端を電気的に連結する媒介パターン;前記上部半導体チップの第1表面とは反対の第2表面に付着されて前記媒介パターンと電気的に連結して、表面にはボールランドを持つパターンフィルム;前記貫通孔に埋め込んだ封止剤;及び、前記パターンフィルムのボールランドにマウントされた半田ボールを含むことを特徴とする、ウェーハレベルスタックパッケージ。
IPC (4件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (3件)

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