特許

J-GLOBAL ID：200903002490899942

金属窒化物膜の形成方法およびこれを用いた電子装置

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370699
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195820
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 金属ハロゲン化物ガスおよび窒化水素ガスの混合ガスにより、CVD法により得られる金属窒化物膜中の塩素を低減し、これにより低抵抗の導電層を有する高集積度半導体装置をはじめとする電子装置を提供する。【解決手段】 金属窒化物膜形成後、H2 /SiH4 混合ガスあるいはH2 /N2 混合ガスによるプラズマ照射を施す。

請求項（抜粋）：

金属ハロゲン化物ガスおよび窒化水素ガスを含む混合ガスにより、被処理基体上に金属窒化物薄膜を気相成長する第1の工程と、前記金属窒化物薄膜に、水素ガス、およびシラン系ガスを構成要素として含む混合ガスのプラズマ照射を施す第2の工程を含み、前記第1の工程と、前記第2の工程をこの順に複数回繰り返し、所望膜厚の金属窒化物膜を得ることを特徴とする金属窒化物膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/90 C

Fターム (62件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104HH16 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK26 ,  5F033LL03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP01 ,  5F033PP04 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ81 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033XX09