特許

J-GLOBAL ID：200903002491808860

トレンチ素子分離膜を備えるSOI素子及びその製造方法

発明者： 李 泰 政 ,  金 炳 善 ,  呉 明 煥 ,  柳 承 翰 ,  辛 明 善 ,  朴 翔 ▲ウォク▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202635
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092346
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ素子分離膜を備えるSOI素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基層、埋込み酸化膜及び半導体層を含む基板、並びに半導体層の活性領域を限定するトレンチに形成された素子分離膜を含むSOI素子である。前記トレンチは、半導体層よりも浅い第1領域及び半導体層に同じ深さの第2領域を有する。前記素子分離膜は、トレンチの内壁及び底面に順次形成された酸化膜及び窒化膜ライナー並びにトレンチを完全に埋め込む絶縁膜を有する。

請求項（抜粋）：

基層、埋込み酸化膜及び半導体層を含む基板と、前記半導体層の活性領域を限定するトレンチに形成された素子分離膜と、を含み、前記トレンチは、前記半導体層の厚さよりも浅い第1領域及び前記半導体層の厚さと同じ第2領域を有し、前記素子分離膜は、前記トレンチの内壁及び底面に順次形成された酸化膜、窒化膜ライナー、及び前記トレンチを完全に埋め込む絶縁膜を含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 621

Fターム (23件)：

5F032AA01 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA54 ,  5F032CA17 ,  5F032CA25 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA22 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-053997   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路のトレンチ分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207238   出願人：三星電子株式会社
• 誘電体分離基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096159   出願人：富士電機株式会社