特許

J-GLOBAL ID：200903002493600549

ドライエッチング方法、及び半導体基体の作製方法

発明者： 中西 宏一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330180
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148365
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 エッチング面における垂直性や平滑性の良好な半導体基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】 誘導結合型のエッチング装置を用いるドライエッチング方法において、エッチングガスとして塩素ガスを含み、かつアルゴンガス及び窒素ガスを含まない雰囲気中であって、かつ塩素ガスの流量が0.0025Pa・m3/sec以上0.034Pa・m3/sec以下で当該エッチングを行なう。

請求項（抜粋）：

誘導結合型のエッチング装置を用いるドライエッチング方法において、エッチングガスとして塩素ガスを含み、かつアルゴンガス及び窒素ガスを含まない雰囲気中であって、かつ塩素ガスの流量が0.0025Pa・m3/sec以上、0.034Pa・m3/sec未満であることを特徴とするドライエッチング方法。

Fターム (7件)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DB20 ,  5F004EB04