特許
J-GLOBAL ID：200903002499944622
マザーウエハ構造とそれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 佳直 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-227046
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077226
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 高性能で高信頼性を確保しつつ、かつ短い工期で半導体装置の製造を可能にしたマザーウエハ構造および該マザーウエハを用いた半導体装置の提供。【構成】 基板20上に素子分離酸化膜21を介在させてゲート電極23、ソース/ドレイン電極24からなるトランジスタ(ゲート)をアレイ状に配列されたデバイスが層間絶縁膜25で被覆されており、この絶縁膜の一部には該デバイス領域のすべてもしくは一部においてレイアウトが許容されるすべての第一層配線の接続可能箇所に予めコンタクト孔27を開口し、該コンタクト孔にデバイスと電気的に接続された導体28を設けて、マザーウエハ1を構成している。このマザーウエハを用いた配線では接続不要のコンタクト孔を平面的または立体的もしくは両者の組み合わせによる迂回配線、あるいはコンタクト孔の導体除去後に絶縁体を設け、その上を通して配線が行われる。
請求項（抜粋）：
基板上にトランジスタ(ゲート)をアレイ状に配列したデバイスを共通に使用し、該デバイス領域のすべてもしくは一部においてレイアウトが許容されるすべての第1層配線との接続可能箇所に予め開口されたコンタクト孔を設け、該コンタクト孔に前記デバイスと電気的に接続された導体が設けられていることを特徴とするマザーウエハ構造。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 27/118
H01L 21/88 Z
, H01L 21/82 M
