特許

J-GLOBAL ID：200903002500865189

光デバイス

発明者： レネン アダール ,  チャールズ ハワード ヘンリー ,  ルドルフ フィオドー カザリノフ ,  ロドニー チャールズ キスラー
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349993
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085371
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 実質的に偏光方向に依存しないブラッググレーティングを有する平面型導波路を提供する。【構成】 本発明の装置は、Si主体11上にSiO2下部クラッド層12が形成され、この下部クラッド層上にPがドープされたコア13が形成される。適切な周期を有する凹部構造21がコアをエッチングすることにより形成され、P及びBがドープされたSiO2上部クラッド層14がコア上に堆積される。不純物濃度は、コアと上部クラッド層との屈折率差が小さく0.35-1.45×10ー2、上部クラッド層材料のフロー温度がコアのフロー温度よりも低くなるように調節される。本発明の別の望ましい実施例においては、Si3Nxx〜4の薄い層42が、グレーティングのエッチングが終了した後にコア上にコンフォーマルに堆積され、さらにSi3Nx層上に上部クラッド層材料14が堆積される。

請求項（抜粋）：

主表面を有する主体と、前記主表面上に形成された平面型導波路と前記導波路へ結合され、その一部を介して伝播する電磁放射を受信する手段を有する光デバイスにおいて、当該光デバイスは電磁放射を導波路へ結合するように適応し、a)前記導波路は、前記主体上(11、12)に堆積する不純物がドープされたSiO2コア(13)及び少なくとも前記コアの一部を囲む上部クラッド層(14)よりなり、前記コアにドープされた不純物は、P、Ti、及びGeよりなる群から選択され、b)前記コアは、前記放射の少なくとも一部に対するブラッググレーティング(20)を構成する複数個の分離された周期性凹部構造(21)が形成され、前記ブラッググレーティングには前記放射のTE及びTM偏光の各々に対する中心波長λ0、帯域、及びλ0における振幅が関連しており、c)前記上部クラッド層(14)は、前記コアの屈折率よりも低い屈折率を有するPがドープされたSiO2よりなり、前記コアと前記上部クラッド層の屈折率差dnが、0.35-1.45×10-2の範囲にあり、前記帯域及びλ0における振幅が、前記放射の偏光方向に依存しないように選択されていることを特徴とする光デバイス。

IPC (4件)：

H01S 3/10 ,  G02B 6/12 ,  H01L 27/15 ,  H04J 14/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-231403
  
• 特開昭57-176005