特許
J-GLOBAL ID：200903002505895302
ガラスベースSOI構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-508760
公開番号（公開出願番号）：特表2006-518116
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
酸化物ガラスまたは酸化物ガラス-セラミックからなる支持基板(20)に張り合わされた実質的に単結晶の半導体(例えばドープトシリコン)の層(15)からなる1つまたはそれより多くの領域を有する大面積絶縁体上半導体(SOI)構造を含むSOI構造が提供される。酸化物ガラスまたは酸化物ガラス-セラミックは透明であることが好ましく、1000°Cより低い歪点及び1016Ω-cm以下の250°Cにおける比抵抗を有し、高温(例えば300〜1000°C)において電場に応答してガラスまたはガラス-セラミック内を移動できる陽イオン(例えば、アルカリイオンまたはアルカリ土類イオン)を含有することが好ましい。半導体層(15)と支持基板(20)の間の接合強度は少なくとも8J/m2であることが好ましい。半導体層(15)は半導体材料がガラスまたはガラス-セラミックから発生する酸素イオンと反応した混成領域(16)を有することができる。支持基板(20)は可動陽イオンの濃度が低減された空乏領域(23)を有することが好ましい。
請求項（抜粋）：
絶縁体上半導体構造を作成する方法において、
(A)第1及び第2の基板を提供する工程であって、
(1)前記第1の基板は、前記第2の基板との接合を形成するための第1の接合形成表面と称する第1の外表面、前記第1の基板に力を印加するための、第1の力印加表面と称する第2の外表面及び前記第1の基板を第1の部分と第2の部分に分離するための、分離域と称する内部域を有し、
(a)前記第1の接合形成表面、前記第1の力印加表面及び前記分離域は互いにほぼ平行であり、
(b)前記第2の部分は前記分離域と前記第1の接合形成表面の間にあり、
(c)前記第1の基板は実質的に単結晶の半導体材料を含み;
(2)前記第2の基板は、一方は前記第1の基板との接合を形成するための、第2の接合形成表面と称する表面であり、他方は前記第2の基板に力を印加するための、第2の力印加表面と称する表面である、2つの外表面を有し、
(a)前記第2の接合形成表面及び前記第2の力印加表面は互いにほぼ平行であり、互いに距離D2だけ隔てられ、
(b)前記第2の基板は酸化物ガラスまたは酸化物ガラス-セラミックからなる工程;
(B)前記第1及び第2の接合形成表面を接触させる工程;
(C)前記第1及び第2の基板を前記第1及び第2の接合形成表面において互いに接合させるに十分な時間中に、同時に、
(1)前記第1及び第2の接合形成表面を互いに押し付けるために前記第1及び第2の力印加表面に力を印加し、
(2)前記第1及び第2の基板に、前記第1及び第2の力印加表面のそれぞれにおける第1及び第2の電圧V1及びV2を特徴とする電場をかけ、ここで、前記第1及び第2の電圧は前記第1及び第2の力印加表面において均一であり、前記電場が前記第1の基板から前記第2の基板に向くようにV1はV2より高い、及び
(3)前記第1及び第2の基板を加熱し、ここで、前記加熱は前記第1及び第2の力印加表面のそれぞれにおける第1及び第2の温度T1及びT2を特徴とし、前記第1及び第2の温度は前記第1及び第2の力印加表面において均一であり、共通の温度への冷却時に前記第1及び第2の基板が相異なる収縮を受け、よって前記分離域において前記第1の基板を弱化させるように選ばれる工程;及び
(D)前記接合された第1及び第2の基板を冷却する工程及び前記分離域において前記第1及び第2の部分を分離する工程;
を有してなり、
前記酸化物ガラスまたは酸化物ガラス-セラミックが、前記工程(C)中に、前記第2の接合形成表面から離れて前記第2の力印加表面に向かう方向に前記第2の基板内を移動する陽イオンを含有する、ことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 S
, H01L21/02 B
