特許
J-GLOBAL ID:200903002506929863

ミクロ細孔ガス透過性電極構造の製法及びミクロ細孔ガス透過性電極構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡部 正夫 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-005011
公開番号(公開出願番号):特開平7-260733
出願日: 1995年01月17日
公開日(公表日): 1995年10月13日
要約:
【要約】【目的】 本願発明は、ミクロ細孔ガス透過性電極構造の製造方法及び対応する電極構造の提供に関する。【構成】 本願発明の製法は、90°より小さい基板(2)と蒸発源(1)との間の角度(α)を使用して、真空蒸発法により基板(2)上に第1のミクロ細孔電極層(4)を形成し、第1のミクロ細孔層(4)の製造工程と本質的に同一の蒸発角度(α)を使用して、第1のミクロ細孔層(4)上に非酸化性材料の別のミクロ細孔層(5)を形成することを特徴とする。【効果】 本願発明の電極構造は、従来技術の欠点を克服し、又エージングの問題がなく、「分子」フィルターとしても働くことができる。
請求項(抜粋):
90°より小さい基板(2)と蒸発源(1)との間の角度(α)を使用して、真空蒸発法により基板(2)上に第1のミクロ細孔電極層(4)を形成するミクロ細孔ガス透過性電極構造の製法において、第1のミクロ細孔層(4)の製造工程と本質的に同一の蒸発角度(α)を使用して、第1のミクロ細孔層(4)上に非酸化性材料の別のミクロ細孔層(5)を形成することを特徴とする製法。
IPC (2件):
G01N 27/22 ,  H01L 21/28 301
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-108952
  • 特公昭63-048304
  • 特開平4-184159

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