特許
J-GLOBAL ID:200903002507185515

レクチル描画の補正方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 花輪 義男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-210627
公開番号(公開出願番号):特開2000-047361
出願日: 1998年07月27日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【課題】従来、光近接効果による影響をOPC法を利用した補正レクチルを作成する場合に、修飾パターンの大きさや配置は、実際に試作してみた試行錯誤によるものか若しくは、これまでのデバイスエンジニアの経験によりレイアウトを決めており、掛かる時間と手間が膨大であった。【解決手段】本発明は、レクチルのパターンをデザインルールに基づき、正方形若しくはそれに準じる矩形の微細なドットに分割し、各ドットに対して、その周囲に隣接して存在する他のドットの有無を検出して、テーブルと照会して、パターンの端部にあり、修飾パターンを付加若しくは削除するドットを選出する。選出されたドットを中心として、予め定めた大きさ及び形状の修飾パターンを付加若しくは削除して光近接効果による影響を無くすようにOPC法を利用したレクチルのパターンを補正することができる。
請求項(抜粋):
レクチルのパターンを正方形若しくはそれに準じる矩形の微細なドットに分割し、各ドットに対して、その周囲に隣接して存在する他のドットの有無を検出し、予め定めた周囲のドットの配置状態に応じて、補正を行うべきドットを選出し、そのドットを中心として予め定めた大きさ及び形状の修飾パターンを付加若しくは削除して、光近接効果による影響を減じるように補正することを特徴とするレクチル描画の補正方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 T ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (4件):
2H095BA02 ,  2H095BB01 ,  2H095BB36 ,  2H095BD40

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