特許

J-GLOBAL ID：200903002509993961

半導体製造装置

発明者： 中村 直人
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269152
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 反応管の下端低温部への気化ガスの付着を防止する。【解決手段】 ウェーハ加熱用のヒータ220の内部に、処理ガスの導入管20と排出管50を接続した反応管本体10が設置され、ボート210に装填したウェーハ200が、反応管本体10の下端開口より出し入れされる半導体製造装置において、ヒータ220の下端より上側に位置する反応管本体10内の下部所定位置に、自身の位置よりも上側の反応管本体10内空間を高温雰囲気室として画成するシールフランジ73を設け、該シールフランジ73を設けた高さよりも上側に排気管50と反応管本体10の接続部51を設けた。

請求項１：

ウェーハ加熱用のヒータの内部に、処理ガスの導入通路と排出通路を接続した反応管が設置され、ボートに装填したウェーハが、前記反応管の下端開口より出し入れされる半導体製造装置において、前記ヒータの下端より上側に位置する反応管内の下部所定位置に、自身の位置よりも上側の反応管内空間を高温雰囲気室として画成するシール部を設け、該シール部よりも上側に前記排気通路と反応管の接続部を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/205

Fターム (10件)：

5F045AA20 ,  5F045AC15 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EB10 ,  5F045EC01 ,  5F045EC08 ,  5F045EF20 ,  5F045EK06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-088976   出願人：東京エレクトロン東北株式会社