特許
J-GLOBAL ID：200903002515221385

酸化シリコン膜の製造方法

発明者：
水野 雅夫

水野 雅夫 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (3件)： 梶 良之 ,  須原 誠 ,  竹中 芳通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-034818
公開番号（公開出願番号）：特開2009-191331
出願日： 2008年02月15日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】基材上に酸化シリコン膜を形成するに際し、大気圧プラズマを利用することにより、減圧装置などの複雑化による装置全体の大型化や装置コストの上昇を招くことなく、かつ、焼付け処理や乾燥処理が不要な簡易な方法で大型の基材の成膜を行うことができるようにした、酸化シリコン膜の製造方法を得ること。【解決手段】表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成することを特徴とする酸化シリコン膜の製造方法。
IPC (1件)：
C23C 16/42
FI (1件)：
C23C16/42
Fターム (15件)：
4K030AA00 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030EA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA16 ,  4K030KA23 ,  4K030LA24
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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