特許
J-GLOBAL ID:200903002515221385
酸化シリコン膜の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
梶 良之
, 須原 誠
, 竹中 芳通
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-034818
公開番号(公開出願番号):特開2009-191331
出願日: 2008年02月15日
公開日(公表日): 2009年08月27日
要約:
【課題】基材上に酸化シリコン膜を形成するに際し、大気圧プラズマを利用することにより、減圧装置などの複雑化による装置全体の大型化や装置コストの上昇を招くことなく、かつ、焼付け処理や乾燥処理が不要な簡易な方法で大型の基材の成膜を行うことができるようにした、酸化シリコン膜の製造方法を得ること。【解決手段】表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成する。【選択図】図1
請求項1:
表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成することを特徴とする酸化シリコン膜の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (15件):
4K030AA00
, 4K030AA16
, 4K030BA44
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030DA02
, 4K030EA01
, 4K030FA03
, 4K030JA03
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA16
, 4K030KA23
, 4K030LA24
引用特許:
出願人引用 (6件)
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細長部材の欠陥検出方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-277958
出願人:独立行政法人理化学研究所
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表面の改質方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-255090
出願人:松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
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特開昭60-235711
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審査官引用 (5件)
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表面の改質方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-255090
出願人:松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
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特開昭60-235711
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ガラス用撥水処理剤
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-079883
出願人:シーシーアイ株式会社
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