特許
J-GLOBAL ID：200903002516179439

粒子線照射装置及び粒子線治療装置

発明者：
吉田 克久

吉田 克久 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007364
公開番号（公開出願番号）：特開2007-185423
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】 レンジシフターでの散乱による荷電粒子線のビーム径の増加を低減して、被照射体への空間的に精密な照射が可能な小さなビーム径の荷電粒子線を供給できるとともに、レンジシフターを患者から離れた位置に配置して、その移動音等による威圧感を無くすることができる粒子線照射装置及び粒子線治療装置を得る。【解決手段】 荷電粒子線の照射中に厚さが変化して荷電粒子線のエネルギーを変化させることで、被照射体5における荷電粒子線の飛程を所望の値とするレンジシフター4と、被照射体6との間に、レンジシフター5で変化した荷電粒子線のエネルギーに応じて励磁量が制御されて、レンジシフターでの散乱による被照射体6における荷電粒子線のビーム径の増加を低減する4極電磁石6を備えた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子線の照射中に前記荷電粒子線のエネルギーを低下させることで、被照射体における荷電粒子線の飛程を所望の値とする可変レンジシフターと被照射体との間に配置されて、 前記可変レンジシフターで低下した前記荷電粒子線のエネルギーに応じて励磁量が制御されて、前記可変レンジシフターでの散乱による被照射体における前記荷電粒子線のビーム径の増加を低減する4極電磁石を備えた粒子線照射装置。
IPC (5件)：
A61N 5/10 ,  G21K 3/00 ,  G21K 1/093 ,  G21K 1/087 ,  G21K 5/04
FI (6件)：
A61N5/10 M ,  A61N5/10 J ,  G21K3/00 W ,  G21K1/093 F ,  G21K1/087 S ,  G21K5/04 A
Fターム (7件)：
4C082AA01 ,  4C082AC05 ,  4C082AE02 ,  4C082AJ02 ,  4C082AJ16 ,  4C082AL06 ,  4C082AP11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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