特許

J-GLOBAL ID：200903002516551923

基板処理装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 崇之
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165850
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014794
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】ドライクリーニング法を用いて、一度に2枚の基板を同じ熱環境下で処理する。【解決手段】ドライクリーニング処理が行われる処理室1と、処理室1内で2枚のウエハA,Bを互いの平坦面A2,B1どうしが相対向するよう並列に保持する保持具2と、ウエハA,Bを処理する為の処理ガスをプラズマにより活性化するリモートプラズマユニット3とを備えるドライクリーニング装置において、ランプ4をウエハA,Bの互いに相対向する平坦面A2,B1へそれぞれ直接的に赤外線を照射できるようウエハの端面に対向する側に配置し、ランプ4から照射された赤外線の一部を、ウエハA,Bの互いに相対向していない方の平坦面A1,B2へそれぞれ反射させる赤外線反射部材52,51を設けた。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記処理室内で2枚の前記基板を、互いの平坦面どうしが相対向するよう並列に保持する保持具と、 前記各基板を処理する為の処理ガスをプラズマにより活性化する活性化手段と、 前記各基板に熱線を照射することで当該各基板を加熱する加熱手段と、 この加熱手段から照射された熱線を反射させる反射手段と、を備え、 前記活性化手段により活性化された処理ガスの活性種を前記処理室内の各基板へ供給することで当該各基板上に副生成物を生じさせ、次いで当該各基板を前記加熱手段により加熱することで前記各副生成物を除去する基板処理装置であって、 前記加熱手段は、前記各基板の端面に対向する側に配置されており、 前記反射手段は、前記各基板の平坦面と対向する側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/68

FI (2件)：

H01L21/302 102 ,  H01L21/68 N

Fターム (18件)：

5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB19 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB31 ,  5F004DA17 ,  5F004DA25 ,  5F031CA02 ,  5F031HA01 ,  5F031HA09 ,  5F031HA37 ,  5F031HA59 ,  5F031MA32 ,  5F031NA01 ,  5F031PA30