特許
J-GLOBAL ID：200903002521553632
複合センサの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333505
公開番号（公開出願番号）：特開平5-164578
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年06月29日
要約：
【要約】【目的】製造ミスによる基板割れが生じても、他への影響を完全に防止することのできる複合センサの製造方法を提供する。【構成】高分子材料と金属材料とを組み合わせた複合センサの製造方法において、センサチップ11の基板上に薄膜電気抵抗センサ12をパターン形成した後、薬液による基板エッチングを行い、その後に薄膜静電容量センサ13をパターン形成することにより、基板エッチング加工時の割れの発生に対して、薄膜静電容量センサ13のエッチング液による浸食および同センサ13の性能劣化を無くすようにしたものである。
請求項（抜粋）：
高分子材料と金属材料とを組み合わせた複合センサの製造方法において、基板上に金属材料による薄膜電気抵抗センサをパターン形成した後、上記薄膜電気抵抗センサの下部の上記基板を薬液を用いてエッチング加工し、その後、上記基板に高分子材料による薄膜静電容量センサをドライ加工によりパターン形成することを特徴とする複合センサの構造方法。
IPC (4件)：
G01D 21/02
, G01K 7/16
, G01N 27/04
, G01N 27/22
