特許
J-GLOBAL ID：200903002525428492
金属メッキマスクパターン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181680
公開番号（公開出願番号）：特開平8-044037
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 レジストパターン形成工程において、レジスト層を露光する際の遮光層として用いられる金属メッキマスクパターンを均一な膜厚で形成する。【構成】 金属メッキによってレジストパターンに相当するパターンが形成されてなる加工有効パターン部分10の周囲に、金属メッキ部15と非メッキ部16とからなるダミーパターン部分14を有する。【効果】 パターンの寸法変化が防止され、基板が大面積であっても高精度の金属メッキマスクパターンが得られる。このような金属メッキマスクパターンを用いて、フォトレジスト層をパターン化すると、高精度な微細パターンを効率良く形成することができる。
請求項（抜粋）：
レジストパターン形成工程において、レジスト層を露光する際の遮光層として用いられる金属メッキマスクパターンであって、金属メッキによって上記レジストパターンに相当するパターンが形成されてなる加工有効パターン部分の周囲に、金属メッキ部と非メッキ部とからなるダミーパターン部分を有することを特徴とする金属メッキマスクパターン。
IPC (2件)：
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