特許

J-GLOBAL ID：200903002529642731

半導体装置作製方法

発明者： 寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142881
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333825
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 結晶シリコン膜中の金属元素の影響を低減する。【構成】 基板101上に絶縁膜102を設け、さらにアモルファスシリコン膜104を設け、アモルファスシリコン膜104上に、結晶化を助長する金属元素を導入し、さらに絶縁膜105とPSG膜106を成膜する。そして、この金属元素を触媒材料として、600°C以下の温度でシリコン膜104を結晶化させる。この際、PSG膜99の作用で、金属元素がゲッタリングされる。

請求項（抜粋）：

基板上に実質的にアモルファス状態のシリコン膜を形成する工程と、前記工程の前または後にニッケル、鉄、コバルト、白金のうち、少なくとも1つの元素を含む膜を成膜する工程と、前記結晶化したシリコン膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にPSG膜を形成する工程と、前記シリコン膜を通常のアモルファスシリコン膜の結晶化温度以下の温度でアニールすることにより結晶化させる工程と、を有する半導体装置作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784