特許

J-GLOBAL ID：200903002532892811

半導体レーザ装置

発明者： 穴山 親志 ,  近藤 真人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321853
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160504
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 クラッド層の構造に特徴を有する高出力半導体レーザ装置に関し、キャリアのオーバフローとサーモアイオニック遷移効果を低減した、低しきい値電流,高効率,短波長,高出力特性を有する半導体レーザ装置を提供する。【構成】 第1導電型(p型)のクラッド層が、活性層(5)に近い側から、活性層(5)との間に大きいヘテロ障壁を有し、基板(例えばGaAs)(1)と格子整合しない組成(例えばAl0.42In0.58P)を有し、臨界膜厚より薄い、第1のキャリアオーバフロー防止層となる第1クラッド層(6)と、活性層(5)との間に大きいフェルミ準位差と高いヘテロ障壁を有し、高濃度ドーピングされ、かつ、基板(1)と格子整合し、第2のキャリアオーバフロー防止層となる厚い第2クラッド層(例えば(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 P)(7)の2層で構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1導電型のクラッド層が、活性層に近い側から、活性層との間に大きいヘテロ障壁を有し、基板と格子整合しない組成を有し、臨界膜厚より薄い、第1のキャリアオーバフロー防止層となる第1クラッド層と、活性層との間に大きいフェルミ準位差と高いヘテロ障壁を有し、高濃度ドーピングされ、かつ、基板と格子整合し、第2のキャリアオーバフロー防止層となる厚い第2クラッド層、の2層で構成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。