特許
J-GLOBAL ID：200903002533527238
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-284291
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119881
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】半導体装置のセット基板への実装時の加熱による膨張圧力の緩和や中空内部と外部の温度差を無くすことができ、前記キャップと枠体の接着部での剥離、枠体とリードフレームとの境界面での剥離、そして中空内部での結露などの不具合の無い半導体装置を得ること。【解決手段】本発明の第1実施形態の半導体装置1Aは、配線基板であるリードフレーム2と、そのリードフレーム2上に配設され、上方が開口し、その開口の上端縁の少なくとも2ヶ所に溝81が形成された中空の枠体8Aと、その枠体8A内のリードフレーム2上に実装された半導体素子Sと、枠体8Aの前記開口を閉鎖するキャップ9とを備えて構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線基板と、
該配線基板上に配設され、上方が開口した中空の枠体と、
該枠体内の前記配線基板上に実装された半導体素子と、
前記枠体の前記開口を閉鎖するキャップと
を具備して構成され、
前記枠体と前記キャップとの間の少なくとも2ヶ所に通気孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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