炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-217085
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264468
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】低温でSiCに不純物元素をドーピングする方法を提供することである。【構成】 p型またはn型の不純物元素を含む反応ガス2の雰囲気中にn型またはp型のSiC基板1を配置し、室温でSiC基板1の表面にエキシマレーザ光3をパルス状に照射する。これにより、反応ガス2中の不純物元素がSiC基板1にドープされ、SiC基板1の表面から所定の深さにp型またはn型の不純物ドープ層4が形成される。

請求項（抜粋）：

不純物元素を含むガス雰囲気中に炭化ケイ素を配置し、前記炭化ケイ素にレーザ光を照射することにより前記炭化ケイ素に前記不純物元素をドーピングすることを特徴とする炭化ケイ素への不純物ドーピング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/22 , H01L 21/268 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 21/22 E , H01L 21/268 Z , H01L 21/28 A , H01L 21/28 301 F , H01L 29/48 D

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平1-261878
特開平4-250617
特開平2-065128

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