特許

J-GLOBAL ID：200903002536643247

ITO多孔質焼結体及びその製造方法

発明者： 高梨 昌二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124842
公開番号（公開出願番号）：特開平6-316760
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 比抵抗値が良好なITO薄膜を作るための焼結体、成膜中における焼結体の割れが有効に抑制され、また、成膜終了後に手による粉砕が容易であって、最終的には粉末として再使用でき、作業性が良く利用効率に優れたITO焼結体を提供することにある。【構成】 1〜20%の酸化錫及び残部の酸化インジウムからなる粉末を大気中にて仮焼する工程と、仮焼後の粉末をボールミル混合する工程と、ボールミル混合後の粉末を造粒、成形する工程と、該成形体を900°C〜1100°Cの焼結温度で焼結する工程とからなるITO多孔質焼結体の製造方法と該製造方法によって製造されるITO多孔質焼結体。

請求項（抜粋）：

本質的には、1〜20重量%の酸化錫成分と、残部の酸化インジウム成分とからなる粉末を成形焼結したITO多孔質焼結体において、前記粉末を大気中にて1200°C〜1600°Cの温度で仮焼を行い、仮焼後の粉末をボールミル混合した後、造粒、成形し、900°C〜1100°Cの温度にて焼結して得られるITO多孔質焼結体であって、70kg/cm2 以下の圧縮応力で粉砕可能であり、かつ成膜時の電子ビーム加熱で割れが発生しないことを特徴とするITO多孔質焼結体。