特許

J-GLOBAL ID：200903002538615046

薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者： 三宮 仁 ,  立花 伸介
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302611
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133828
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池セル間、薄膜太陽電池とフレーム間の短絡を防止しうる薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 透光性基板上に該基板の周囲から所定の幅をカバーした第1マスクを用いて酸化亜鉛膜を形成し、第1マスク除去後酸化亜鉛膜を所定厚さエッチングすることにより透明電極を第1マスクで覆われていない領域にのみ形成すると共にその表面に凹凸を形成し、透明電極上に光電変換活性層及び裏面電極を順次形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法及びこの方法により得られた薄膜太陽電池により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に該基板の周囲から所定の幅をカバーした第1マスクを用いて酸化亜鉛膜を形成し、第1マスク除去後酸化亜鉛膜を所定厚さエッチングすることにより透明電極を第1マスクで覆われていない領域にのみ形成すると共にその表面に凹凸を形成し、透明電極上に光電変換活性層及び裏面電極を順次形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (2件)：

H01L 31/04 M ,  H01M 14/00 P

Fターム (16件)：

5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051FA13 ,  5F051FA16 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032HH06