特許

J-GLOBAL ID：200903002540477505

AlGaInP系半導体レーザとその製法

発明者： 池田 昌夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162774
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147459
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 良質なエピタキシャル成長によって結晶性にすぐれたAlGaInP系半導体レーザを構成する。【構成】 少なくとも第1のクラッド層23と、平坦状に形成された活性層24と、第2のクラッド層25とを有するAlGaInP系半導体レーザにおいて、その第1のクラッド層23と、活性層24と、第2のクラッド層25のうちの少なくとも一部に凹凸を有し、この凹凸の両側に光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少なくともいづれか一方の機能を有するAlGaAsまたはGaAs系半導体層37が形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1のクラッド層と、平坦状に形成された活性層と、第2のクラッド層とを有するAlGaInP系半導体レーザにおいて、前記第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラッド層のうちの少なくとも一部に凹凸を有し、この凹凸の両側に光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少なくともいづれか一方の機能を有するAlGaAsまたはGaAs系半導体層が形成されてなることを特徴とするAlGaInP系半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-129473
  
• 特開昭54-096386
  
• 特開昭58-209117