特許
J-GLOBAL ID：200903002540650355

電子機器、半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
永井 雅晴

永井 雅晴 について

, 
中村 理

中村 理 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-308135
公開番号（公開出願番号）：特開2005-078946
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 本発明は、EL表示装置を大型化することなく、EL素子の特性を劣化させる原因である侵入する水分や酸素を遮断し、信頼性の高いEL表示装置と、その作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、高耐熱性平坦化膜16、代表的にはシリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成されるTFTの層間絶縁膜(後に発光素子の下地膜となる膜)の形成方法として塗布法を用い、成膜後に端部または開口部をテーパー形状とする。その後、比較的原子半径の大きい不活性元素を添加することによって歪みを与え、表面(側壁を含む)を改質、または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。【選択図】 図2
請求項１：
一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、 前記発光素子は、一方の基板に形成した高耐熱性平坦化膜上に形成され、 前記一対の基板は、前記表示部の外周を囲むシール材により固着され、 前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする発光装置。
IPC (7件)：
H05B33/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22
FI (10件)：
H05B33/14 A ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 342Z ,  G09F9/00 343Z ,  G09F9/30 309 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 Z
Fターム (72件)：
2H092GA12 ,  2H092HA04 ,  2H092HA28 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB61 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007GA00 ,  5C094AA03 ,  5C094AA15 ,  5C094AA32 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA12 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB02 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FA03 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB05 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA10 ,  5C094JA09 ,  5C094JA20 ,  5G435AA02 ,  5G435AA13 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH14 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL07 ,  5G435LL14
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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