特許
J-GLOBAL ID：200903002541045374
半導体処理方法及び半導体処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322709
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150412
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 周期的な強度分布を持つ光を半導体に照射してその性質を変化させる半導体処理技術において、製造コストを低減し、かつ光の強度分布の調整の自由度を高め、様々な試料に対する工程の最適化を実現する。【解決手段】 周期的な強度分布の光として、レーザー10の光をビームスプリッタ20で2つに分割し、かつ各レーザー光を第1、第2の各鏡30,40で反射し、かつ第2の鏡40の反射光の光軸を第1の鏡30の反射光の光軸に対して角度変化させた後、ビームスプリッタ20で重畳し、互いに干渉することにより形成される干渉縞で構成する。この干渉縞70を基板60上の薄膜半導体61に照射するとことにより、薄膜半導体61を干渉縞の強度分布に沿った温度分布で溶融し、かつ冷却して結晶化することで、大粒径化が実現される。半導体61に対して反射防止膜等を形成する必要がなく、製造コストを低減する。分割したレーザー光の振幅比や、両レーザー光の光路長差等を調整することで、光の強度分布の調整の自由度を高め、様々な試料に対する工程の最適化を実現する。
請求項（抜粋）：
周期的な強度分布を持つ光を半導体の表面に照射して、該半導体の性質を変化させる半導体処理方法において、前記周期的な強度分布の光が、振幅分割したレーザー光の波動が互いに干渉することにより形成される干渉縞であることを特徴とする半導体処理方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/268 J
, H01L 21/268 F
, H01L 21/20
5F052AA02
, 5F052BA04
, 5F052BB01
, 5F052BB07
, 5F052CA10
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DB01
, 5F052FA04
