特許
J-GLOBAL ID：200903002544870929
薄膜気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247511
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078773
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 横型の気相成長装置において、ZnSeやZnSなどのII-VI族の薄膜を成長させる場合、デッドスペースが発生せず、原料ガスを切り替えたときも乱流にならず、膜質の一様な薄膜を成長させることのできる気相成長装置を提供する。【構成】 上下の2段になっているノズル体8を反応容器1の一端から挿入し、基板13の近傍まで別異の原料ガスを輸送し、基板の近くで初めて2種類のガスを混合する。また反応容器の前端からノズル体の外周部にパ-ジガスを吹き込む。これにより容器の前端にガスの滞留する部分が発生しない。デッドスペ-スがなくなるので、多層膜を成長させる場合でも原料ガスの切り替えが円滑になる。切り替え時に乱流が発生しない。
請求項（抜粋）：
横長の反応容器1と、反応容器1の中に収容され基板13を保持するサセプタ2と、サセプタ2を加熱するためのヒータと、反応容器1の上流側から反応容器に挿入され上下2段になったAノズル14とBノズル15よりなるノズル体8と、Aノズル14に原料ガスを供給するためのAガス導入口と、Bノズル15に異なる原料ガスを供給するBガス導入口と、反応容器1の周辺部にパージガスを導入するパージガス導入管とを含み、Aノズル14の開口が基板の直前にあり、Bノズル15の開口も基板の近くにあって、異なる原料ガスが基板の直前で混合し、パージガスはノズル体8の周囲を流れて原料ガスの逆流、滞留を防ぐようにしたことを特徴とする薄膜気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/365
