特許

J-GLOBAL ID：200903002546638063

真空処理装置

発明者： 大日向 剛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284255
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114189
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜層52のクラックや剥離を防止し、パーティクルの発生を防止するとともに、寿命を長くして交換頻度を低減させ、稼働率を向上させる。【解決手段】 真空処理室内に、プラズマを発生させる電極体13,14を配置する。電極体13,14の表面に酸化膜層52を形成し、この酸化膜層52の表面にアルミナ溶射層53を形成して多層化する。酸化膜層52の表面は表面処理によって粗面化し、酸化膜層52とアルミナ溶射層53との結合強度を高める。アルミナ溶射層53で酸化膜層52を保護し、酸化膜層52のクラックや剥離を防止する。

請求項（抜粋）：

プラズマ反応に基づいて被処理基板を処理する真空処理装置であって、真空処理室と、この真空処理室に配置される電極体と、この電極体の表面に形成された酸化膜層と、この酸化膜層の表面に形成されたアルミナ溶射層とを具備していることを特徴とする真空処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (21件)：

4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA47 ,  4K030LA18 ,  5F004AA08 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB17 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB03 ,  5F045EF11 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH13