特許
J-GLOBAL ID：200903002546677832
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332285
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166824
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】容易に低いベース層抵抗を構成できるバイボートランジスタとする。【構成】内部ベース領域となる第8の半導体の不純物非導入層16に隣接して外部ベース領域となる不純物導入層17と前記半導体層16と第5の半導体層14の3層にベース電極を接続してトランジスタを構成する。非導入半導体層16を設けることにより薄い膜厚の第5の半導体層を精度良く残すことができる。また、第8の半導体層を構成する半導体層16,17を厚くすることによって薄い内部ベース層を構成する半導体層14の膜厚の薄い場合も低いベース抵抗を確保できる。
請求項（抜粋）：
一導電型の第1の半導体層上に、反対導電型不純物が導入された第2の半導体層と、反対導電型不純物が導入された第3の半導体層と、第1の開口部を有する第1の絶縁膜とを順次形成する工程と、前記第1の開口部を介して前記第3の半導体層を選択的にエッチングし、前記第2の半導体層に到達するような凹部を形成する工程と、前記凹部内に露出する第2及び第3の半導体層の表面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記凹部を被覆する第3の絶縁膜を形成した後、前記第3の絶縁膜を異方性エッチングし、前記凹部の側壁に第3の絶縁膜を残存する工程と、前記残存する第3の絶縁膜をマスクとして前記第2の絶縁膜をエッチング・除去し、第2の開口部を形成する工程と、前記第2の開口部を介して前記第2の半導体層に一導電型不純物を導入し、前記第2の半導体層内に一導電型領域層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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