特許

J-GLOBAL ID：200903002549848107

半導体装置とその製造方法

発明者： 高谷 秀史
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-209647
公開番号（公開出願番号）：特開2009-044064
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】 半導体装置の耐圧を向上させることができる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置100は、n+型のバッファ領域17と、n型のドリフト領域16と、p型のベース領域2と、ゲート電極8と、ソース電極4と、ガードリング12a、12bと、チャネルストッパ領域14と、ドレイン電極18を備えている。半導体装置100はさらに、半導体装置100の内部の終端部分に流体経路9を備えている。流体経路9は壁面が絶縁膜10で覆われており、内部にマイナス電位に調整されている低温の流体11が流動している。半導体装置100の内部に流体経路11を形成することによって、流体経路11の周辺の等電位線が伸ばされ、空乏層が広がる。半導体装置100の耐圧を向上させることができる。【選択図】 図1

請求項１：

電位調整装置と組合せて用いる半導体装置であり、 半導体装置の内部に、電位調整装置によって電位が調整されている流体が流動するとともに、壁面が絶縁膜で覆われている流体経路が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 23/34 ,  H01L 23/473 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/76

FI (6件)：

H01L29/78 652N ,  H01L23/34 A ,  H01L23/46 Z ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652R

Fターム (6件)：

5F136AA10 ,  5F136CA00 ,  5F136CB00 ,  5F136DA13 ,  5F136GA28 ,  5F136JA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 縦型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075918   出願人：日本電気株式会社