薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144294
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】多結晶半導体(Si)薄膜トランジスタの製造において、ゲート絶縁膜越しに不純物を注入すると、注入量がゲート絶縁膜に依存するため抵抗が変動する。一方、ゲート絶縁膜を除去して注入すると、ゲート電極とソース、ドレイン電極間のリーク電流が増大する。【解決手段】不純物注入領域のゲート絶縁膜を除去し、多結晶Siを露出させ、酸化性ガス雰囲気で熱処理を施し、多結晶Si表面を酸化膜で保護するとともにゲート絶縁膜の除去工程で生じた損傷を回復させる。また、不純物注入後に再度の熱処理を行う。また、熱処理時の雰囲気ガスに工夫を凝らす。

請求項（抜粋）：

基板上に順に所定厚さと形状の絶縁膜、多結晶シリコン膜、ゲート絶縁膜、ゲート金属膜を形成し、その後多結晶シリコン膜のソース領域及びドレン領域等に不純物イオンを注入して薄膜トランジスタを製造する方法であって、不純物イオンを注入する部分の多結晶半導体を露出させる露出形成ステップと、前記露出形成ステップにて露出部の形成された多結晶半導体を、不純物イオンを注入する前に酸化性ガス雰囲気で熱処理する前の熱処理ステップと不純物イオンを注入した後に酸化性ガス雰囲気で熱処理する後の熱処理ステップの少くもいずれか一方のステップとを有していることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602

FI (7件)：

H01L 21/265 602 A , H01L 21/265 602 B , H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 616 L , H01L 21/265 H , H01L 21/265 Z , H01L 29/78 616 A

Fターム (24件)：

5F110AA06 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE33 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ21 , 5F110HL02 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110QQ11

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