特許

J-GLOBAL ID：200903002554570133

積層集積半導体装置及びその製造方法

発明者： 神垣 良昭 ,  宿利 章二 ,  鳥居 和功 ,  三木 浩史 ,  久▲禮▼ 得男 ,  加賀 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165299
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022578
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】少なくとも一部分が互いに異なる材料からなる複数の機能素子が三次元的に配置された、高信頼性の積層集積半導体装置を提供すること。【構成】半導体基板1上に設けられた、ゲート電極3、拡散層4、5からなる第1の機能素子と、第1の機能素子上にさらに設けられた、強誘電体13、上部電極14、下部電極12からなる第2の機能素子と、その上に設けられた基板1’からなり、第2の機能素子を構成する材料の少なくとも一部が、第1の機能素子を構成する材料と異なる材料であり、第1の機能素子と第2の機能素子の間の一部分に接着剤であるポリイミド9、9’膜を有する積層集積半導体装置。【効果】第1及び第2の機能素子をそれぞれ別々に形成することができ、それぞれの機能素子を独立に最適条件で形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた第1の機能素子と、該第1の機能素子上にさらに設けられた第2の機能素子からなる積層集積半導体装置において、上記第2の機能素子を構成する材料の少なくとも一部は、上記第1の機能素子を構成する材料と異なる材料であり、上記第1の機能素子と第2の機能素子の間の一部分に接着剤の層を有することを特徴とする積層集積半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 39/02 ZAA