特許
J-GLOBAL ID：200903002556760096
静電容量型半導体センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-072807
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 気密性が良好で、確実に2つの基板同士を面接合可能とした静電容量型半導体センサを提供すること【解決手段】 固定電極16が形成されたガラス基板11と、ダイアフラム13付きのシリコン基板10を陽極接合する。ガラス基板上には、固定電極を外部に引き出すための引出線17がパターン形成され、これに対向するシリコン基板には、凹溝18が形成され引出線と短絡しないようにする。この凹溝内の奥面18bに段差部20を設ける。凹溝の奥面に接着されたポリイミド樹脂21が、ガラス基板11により押し潰されて圧縮変形し、凹溝の側面18a,段差部の先端表面20a並びに段差部の後面20bに密着する。ポリイミド樹脂が充填されない隙間Sは段差部の後面に対向するとともに、その周囲がポリイミド樹脂で閉塞されるので、センサ外側とは連通せず、気密性が確保される。
請求項（抜粋）：
固定電極付きの絶縁基板と、その絶縁基板に接合され、可動電極付きの半導体基板とを有し、前記固定電極と可動電極との間の静電容量により所定の物理量を検出可能とし、前記絶縁基板の表面所定位置に前記固定電極を外部と導通可能とする引出線を設けるとともに、その引出線に対向する前記半導体基板表面に凹溝を形成し、前記凹溝の奥面所定位置に、ポリイミド樹脂等の可撓性絶縁物を接着するとともに、前記絶縁性基板により押し潰してその可撓性絶縁物を前記凹溝の側面に密着させ、前記凹溝と前記絶縁基板表面で形成される空間を密封するようにした半導体センサであって、前記凹溝の所定位置に、その凹溝の側面と接続される段差部を設け、前記可撓性絶縁物を、前記段差部にかかるように充填し、その段差部の所定の面に密着させるように構成したことを特徴とする静電容量型半導体センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/12
, G01L 1/14
, H01L 29/84
G01L 9/12
, G01L 1/14 A
, H01L 29/84 Z
