特許
J-GLOBAL ID：200903002558707079
半導体レーザ素子及びその製造方法並びに光半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-138621
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294252
出願日： 2007年05月25日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】偏光角のばらつきが少ないマルチビーム半導体レーザ素子の提供。【解決手段】n型の半導体基板と、基板の第1の面に積層されるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層、コンタクト層と、基板の一端から他端に亘りかつコンタクト層からp型クラッド層の所定深さに形成される複数本の区画溝と、隣接する区画溝によって挟まれる各区画部分に形成され基板の一端から他端に亘りかつコンタクト層からp型クラッド層の所定深さに形成される2本の分離溝によって挟まれたストライプ状のリッジと、各リッジのコンタクト層の両側面から分離溝を越えて区画部分の端に至る部分を覆う絶縁層と、基板の第2の面に設けられる第1の電極と、各区画部分においてリッジ,分離溝及び分離溝の外側の多層半導体層上に亘って設けられる第2の電極とを有し、第2の電極は下層の第2の電極層と、上層の第2のメッキ層とからなり、第2のメッキ層はリッジ部分に対応する箇所が最も厚くなり区画溝に向かって徐々に薄くなる円弧状断面となっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型からなる半導体基板と、
前記半導体基板の第1の面に順次重ねて形成され、かつ第1導電型からなる第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型からなる第2導電型クラッド層、第2導電型からなるコンタクト層で構成される多層半導体層と、
前記多層半導体層に形成され、前記半導体基板の一端から他端に亘りかつ前記コンタクト層の表面から前記第2導電型クラッド層の所定深さに形成される複数本の区画溝と、
隣接する前記区画溝によって挟まれる各区画部分に形成され、前記半導体基板の前記一端から前記他端に亘りかつ前記コンタクト層の表面から前記第2導電型クラッド層の所定深さに形成される2本の分離溝によって挟まれたストライプ状のリッジと、
前記各リッジの前記コンタクト層の両側面からそれぞれ前記分離溝を越えて前記区画部分の端に至る部分を覆う絶縁層と、
前記半導体基板の前記第1の面の反対面となる第2の面に設けられる第1の電極と、
前記各区画部分において前記リッジ上及び前記リッジの両側の前記分離溝上並びに前記分離溝の外側の前記多層半導体層上に亘って設けられる第2の電極とを有し、
前記第2の電極は下層となる第2の電極層と、前記第2の電極層に重ねて形成される第2のメッキ層とからなり、
前記第2のメッキ層は前記リッジ部分に対応する箇所が最も厚くなり前記区画溝に向かって徐々に薄くなる円弧状断面となっていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/042
, H01S 5/022
, H01S 5/22
H01S5/042 612
, H01S5/022
, H01S5/22 610
5F173AA08
, 5F173AF03
, 5F173AG05
, 5F173AH06
, 5F173AH49
, 5F173AK04
, 5F173AK21
, 5F173AP06
, 5F173AQ10
, 5F173AR42
, 5F173MA01
, 5F173MA06
, 5F173MC12
, 5F173MC15
, 5F173MD04
, 5F173MD07
, 5F173MD34
, 5F173MD65
, 5F173MD84
, 5F173ME86
