半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113389
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298290
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】量子箱の製造方法における微細化、高密度化、低欠陥化の達成。【解決手段】多重量子井戸構造を作成後、液滴もしくは微結晶をマスクとし、成長炉内において塩素系のガスでエッチングを行い、微細構造を形成、さらに成長炉内で埋め込むことにより、量子箱を作製する。【効果】微細化については、積層方向、および面内のサイズを数nmに、高密度化については積層方向について多周期化、低欠陥化については成長炉内におけるエッチングにより再成長界面の欠陥を除去できた。

請求項（抜粋）：

基板上部に複数の半導体層を順次積層させて量子井戸構造を含む積層領域を形成する第1の工程と、上記積層構造領域上面に部分的にマスク領域を形成する第2の工程と、上記積層構造領域を上記量子井戸構造を複数の量子箱に分割するようにガスエッチングする第3の工程と、上記ガスエッチングにより分割された積層構造領域を埋め込むように上記量子井戸構造の井戸層より短いバンドギャップ波長を有する半導体層を形成する第4の工程とを含み、上記第2の工程はIII族の有機金属原料のみの供給により上記積層構造領域上面に形成された液滴又は該液滴形成後にV族ガスを供給して液滴から形成した結晶を上記マスク領域とすることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01S 3/18 , H01L 21/302 P

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