特許

J-GLOBAL ID：200903002562510786

アルミニウム合金配線層の製造方法

発明者： 岸田 剛信 ,  西脇 徹
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-157198
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022990
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホール内でのアルミニウム合金膜の段差被覆性を向上させる。【構成】 半導体基板1に形成したコンタクトホール2上に、チタンターゲットをアルゴンガスでスパッタリングしてチタン膜4を形成する。チタン膜4の形成後、半導体基板1を大気にさらすことなく真空中で連続してチタンターゲットをアルゴンガスと窒素ガスの混合ガスでスパッタリングして窒化チタン膜5を形成する。続いて、半導体基板1をいったん大気にさらし、再び真空中で半導体基板1の表面温度を150°Cから250°Cの範囲内に加熱保持したままで、アルミニウム合金ターゲットをスパッタリングして、アルミニウム合金膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられたコンタクトホールを覆うようにスパッタリング法によってチタン膜を形成する工程と、前記チタン膜の形成後真空中で連続して窒化チタン膜をスパッタリング法により形成する工程と、前記窒化チタン膜の形成後半導体基板を大気に開放する工程と、前記大気開放後真空中で半導体基板の表面温度を150°Cから250°Cの範囲内に保持しながらアルミニウム合金膜をスパッタリング法により形成する工程とを有することを特徴とするアルミニウム合金配線層の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C